CUMEC:2025年在芯片層面實現(xiàn)硅基混合集成

5月15日消息(雋暢)當前,集成電路沿著摩爾定律發(fā)展已趨于極限,硅光技術作為光通信行業(yè)的一項尖端技術,其核心是“以光代電”、“光電融合”,可以滿足數(shù)據(jù)中心、干線傳輸、城域傳輸三大應用場景對更低成本、更高集成、更低功耗、更高互聯(lián)密度等需求,發(fā)展?jié)摿薮螅熬皬V闊。

5月11日,CIOE中國光博會與C114通信網聯(lián)合推出大型研討會系列活動——“2023中國光通信高質量發(fā)展論壇”。大會期間,聯(lián)合微電子中心有限責任公司(CUMEC)工程師肖志雄發(fā)表題為《面向數(shù)據(jù)中心應用的硅光技術》的報告,詳細介紹了硅光技術與產業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀。

數(shù)智化時代,硅光乘勢而起

阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2022十大科技趨勢》提到:“在電子芯片的制程競賽接近終點的情況下,硅光芯片將異軍突起,融合光子和電子優(yōu)勢,突破摩爾定律限制,滿足人工智能、云計算帶來的爆發(fā)性算力需求。預計未來三年,硅光芯片將承載大型數(shù)據(jù)中心的高速信息傳輸。”

肖志雄表示,硅光主要具備兩大優(yōu)勢。一是集成優(yōu)勢。硅光芯片的波導具有較大的折射率差,能夠很好地限制光場,芯片尺寸能夠做到很小。二是材料優(yōu)勢。硅材料價格低廉,與CMOS工藝兼容,具有規(guī)模生產優(yōu)勢,可以有效降低成本。

數(shù)智化時代,全球網絡數(shù)據(jù)流量正以每三年翻一番的速度激增,硅光市場規(guī)模直接受益。Yole預估,2019年的硅光市場規(guī)模為4.8億美元;預測2025年將達到39億美元,年復合增長率達到42%。

與此同時,硅光的業(yè)務領域也在不斷拓展。肖志雄介紹道:“2019年,硅光應用集中在數(shù)據(jù)中心光模塊和長距離光傳輸模塊;2025年,硅光應用預計擴展到光互聯(lián)、無人駕駛Lidar、免疫測試、光纖陀螺和5G光模塊等領域。”

硅光引領下一代數(shù)據(jù)中心發(fā)展風向

數(shù)據(jù)中心作為國家“新基建”的七大方向之一,被國家發(fā)改委明確定義為“新基建”中的算力基礎設施,可不少傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心難以調和強算力與低能耗之間的矛盾,升級受阻。在此背景下,硅光方案效率高、功耗少、成本低、尺寸小的特征將打破物理瓶頸,驅動數(shù)據(jù)中心高質量發(fā)展。

肖志雄指出,有六類硅光技術在數(shù)據(jù)中心得到應用。

第一類是光源技術。由于硅材料是間接帶隙半導體,在通訊波段不具備發(fā)光能力,量子點結構方案是目前的重要研究方向。量子點的離散分布特點具有更好的位錯容忍度,能夠有效過濾未位錯陷對有源區(qū)的影響,可以制造高性能的片上光源。

第二類是低損波導技術。低損耗的波導是硅光芯片的核心技術,較大的波導損耗會限制系統(tǒng)的規(guī)模。系統(tǒng)越大,波導損耗的影響就越明顯。

第三類是耦合技術。主要的耦合技術分為光柵耦合和端面耦合,兩類方案各有優(yōu)勢。光柵耦合適用于晶圓級測試,但光學帶寬較小,需要將損耗降至最低,才能滿足光模塊應用。端面耦合的光學帶寬很大,損耗也可以做到很小,但工藝以及晶圓級的測試難度較大。

第四類是高速調制技術。2004年,Intel公司提出MOS型電光調制器,首次將硅基電光調制器速率提高到Gb/s量級。此后,業(yè)界提出反向偏置的PN結構,消除載流子擴散效應,將調制速率提高到50Gb/s以上。當前,硅基電光調制器的速率可輕松突破100Gb/s。

第五類是高速解調技術。硅材料對通信波段透明,需要通過鍺外延技術實現(xiàn)通信波段的高速探測。

第六類是無源器件技術。目前的研究熱點是通過逆向設計使得硅光器件的結構更緊湊、性能更優(yōu)越。

CUMEC助力硅光產業(yè)鏈培育與生態(tài)建設

全球光模塊產業(yè)鏈分工明確,歐美日技術起步較早,專注于芯片和產品研發(fā)。中國在產業(yè)鏈中游優(yōu)勢明顯,但難以分享上游的巨大價值。盡早形成硅光產業(yè)鏈,壯大生態(tài),帶動產業(yè)高質量發(fā)展,是我國光模塊產業(yè)實現(xiàn)“換道超車”的重要前提。

肖志雄表示,CUMEC致力于走“超越摩爾+光電融合”技術路線,以硅基光電子、異質異構三維集成、CIS、智能傳感等工藝技術和產品技術為核心,為客戶提供一體化的解決方案,實現(xiàn)設計、制造、封裝全鏈條的完整支撐。

據(jù)了解,CUMEC一期打造的8英寸90nm工藝線包括硅光前道區(qū)域、后道銅布線區(qū)域及3D集成區(qū)域,具備光刻、刻蝕、注入、擴散、薄膜、化學機械拋光(CMP)、外延等完整集成電路工藝制作能力和成套芯片測試分析能力,是國際先進、國內唯一一個具有完整自主知識產權的光電微系統(tǒng)先導工藝平臺。

“目前,我們以關鍵核心工藝技術研發(fā)為主線,計劃在2025年初步實現(xiàn)硅基混合集成芯片。”肖志雄透露,在混合集成取得技術突破后,CUMEC將繼續(xù)發(fā)力光電單片集成,以期通過科技創(chuàng)新、技術進步推動硅光產業(yè)鏈發(fā)展,為整個生態(tài)的繁榮與壯大做出貢獻。

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2023-05-15
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