源杰半導(dǎo)體擬赴科創(chuàng)板IPO：募資9.8億元，加碼光芯片產(chǎn)業(yè)

1月19日消息（水易）近日，上交所官網(wǎng)顯示，陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司科創(chuàng)板IPO已獲得受理。

源杰半導(dǎo)體招股說明書顯示，本次擬發(fā)行股份不超過1500萬股，擬募集資金人民幣9.8億元，主要用于10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金。

據(jù)了解， 源杰半導(dǎo)體成立于2013年，聚焦于光芯片行業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，主要產(chǎn)品包括 2.5G、10G 、25G 及更高速率激光器芯片等系列產(chǎn)品，目前主要應(yīng)用于光纖接入、4G/5G移動通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

在光芯片領(lǐng)域，歐美日國家起步較早、技術(shù)領(lǐng)先，近年來我國政府在光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行重點(diǎn)政策布局，中國電子元件行業(yè)協(xié)會發(fā)布《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖（2018-2022 年）》，明確2022年25G及以上速率DFB激光器芯片國產(chǎn)化率超過60%，實(shí)現(xiàn)高端光芯片逐步國產(chǎn)替代的目標(biāo)。

招股說明書顯示，源杰半導(dǎo)體正在加速研發(fā)下一代激光器芯片產(chǎn)品，并積極拓展光芯片在其他領(lǐng)域的應(yīng)用。目前，在光通信領(lǐng)域已著手50G、100G高速率激光器芯片產(chǎn)品以及硅光直流光源大功率激光器芯片產(chǎn)品的商用推進(jìn)，力圖實(shí)現(xiàn)在高端激光器芯片產(chǎn)品的特性及可靠性方面對美、日壟斷企業(yè)的全面對標(biāo)。同時已與部分激光雷達(dá)廠商達(dá)成合作意向，努力實(shí)現(xiàn)新技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車。

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