武漢：目標到2025年全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能級明顯提升 芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超1200億元

1月18日消息（余予）為促進武漢市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，加快“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，提升產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化水平，武漢市人民政府發(fā)布《關(guān)于促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的意見》。

《意見》提出，其總體目標是到2025年，全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能級明顯提升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加合理，設(shè)備、材料、封測配套水平對關(guān)鍵領(lǐng)域形成有力支撐。主要體現(xiàn)在以下三方面：

1.產(chǎn)業(yè)規(guī)模方面。到2025年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1200億元，半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1000億元，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。

2.技術(shù)水平方面。到2025年，發(fā)明專利年均增速超過15%，創(chuàng)建3—5個國家級創(chuàng)新平臺，牽頭制定2—4項行業(yè)標準，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)，實現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。

3.市場主體方面。到2025年，培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過100億元的半導(dǎo)體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過10億元的半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)超過500家，上市企業(yè)新增3—5家。

以下為全文：

市人民政府辦公廳關(guān)于促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的意見

各區(qū)人民政府，市人民政府各部門：

為促進我市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，加快“光芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，提升產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化水平，經(jīng)市人民政府同意，特提出如下意見：

一、總體要求

（一）指導(dǎo)思想。以總書記新時代中國特色社會主義思想為指導(dǎo)，貫徹落實全市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標、武漢工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五”規(guī)劃，加快補短板、鍛長板、強生態(tài)，打造“創(chuàng)新引領(lǐng)、要素協(xié)同、鏈條完整、競爭力強”的現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系。

（二）總體目標。到2025年，全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能級明顯提升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加合理，設(shè)備、材料、封測配套水平對關(guān)鍵領(lǐng)域形成有力支撐。

1.產(chǎn)業(yè)規(guī)模。到2025年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1200億元，半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過1000億元，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。

2.技術(shù)水平。到2025年，發(fā)明專利年均增速超過15%，創(chuàng)建3—5個國家級創(chuàng)新平臺，牽頭制定2—4項行業(yè)標準，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)，實現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。

3.市場主體。到2025年，培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過100億元的半導(dǎo)體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過10億元的半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)超過500家，上市企業(yè)新增3—5家。

二、重點任務(wù)

（一）瞄準薄弱環(huán)節(jié)補鏈

1.增強集成電路設(shè)備、材料和封測配套能力。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設(shè)備，引入化學機械研磨（CMP）機、離子注入機等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目；在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進存儲器工藝，開發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目；在封測環(huán)節(jié)，引進和培育國內(nèi)外封裝測試領(lǐng)軍企業(yè)，突破先進存儲器封裝工藝，推進多芯片模塊、芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝等先進封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

2.加快半導(dǎo)體顯示設(shè)備和材料國產(chǎn)化替代。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦有機發(fā)光二極管（OLED）中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學檢測、模組自動化設(shè)備，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜制備等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項目；在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產(chǎn)項目建設(shè)，加快OLED發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產(chǎn)材料生產(chǎn)項目。

3.布局第三代半導(dǎo)體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法（PVT）設(shè)備、金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在材料環(huán)節(jié)，引進碳化硅（SiC）襯底、SiC外延、氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)線，布局GaN外延晶片產(chǎn)線。

（二）立足現(xiàn)有基礎(chǔ)強鏈

1.打造存儲、光電芯片產(chǎn)業(yè)高地。在存儲芯片領(lǐng)域，重點引入控制器芯片和模組開發(fā)等產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40納米以下代碼型閃存、動態(tài)隨機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進存儲芯片；在光電芯片領(lǐng)域，支持25G以上光收發(fā)芯片、50G以上相干光通信芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。

2.建設(shè)國內(nèi)重要半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)基地。在顯示面板領(lǐng)域，引進大尺寸OLED、量子點顯示、亞毫米發(fā)光二極管（MiniLED）顯示等面板生產(chǎn)項目，布局微米級發(fā)光二極管（MicroLED）顯示、激光顯示、8K超高清、3D顯示等未來顯示技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在顯示模組領(lǐng)域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加快開發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產(chǎn)項目，逐步提升對中高端面板的產(chǎn)業(yè)配套能力。

（三）聚焦熱點領(lǐng)域延鏈

1.通信射頻芯片。支持5G絕緣襯底上硅（SOI）架構(gòu)射頻芯片、射頻電子設(shè)計自動化（EDA）軟件研發(fā)；面向5G基站、核心網(wǎng)、接入網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施市場，重點發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關(guān)鍵芯片。

2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器（GPU）、顯控芯片的開發(fā)及應(yīng)用，提升知識產(chǎn)權(quán)（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能芯片等邏輯芯片的設(shè)計支撐能力，布局信創(chuàng)領(lǐng)域處理器項目。

3.北斗導(dǎo)航芯片。支持研發(fā)北斗三號系統(tǒng)的新一代導(dǎo)航芯片、28納米高精度消費類北斗導(dǎo)航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級芯片；面向交通、物流、農(nóng)業(yè)、城市管理等領(lǐng)域開發(fā)通導(dǎo)一體化北斗芯片，拓展北斗應(yīng)用。

4.車規(guī)級芯片。推進數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目；面向新能源汽車，布局動力系統(tǒng)、主被動安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、照明系統(tǒng)車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)化項目。

（四）圍繞前沿領(lǐng)域建鏈

1.第三代半導(dǎo)體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等3個應(yīng)用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶體管、氮化鎵（GaN）充電模塊、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件項目；支持中高壓SiC功率模塊、GaN 5G射頻開關(guān)、紫外LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，突破SiC絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED關(guān)鍵技術(shù)。

2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產(chǎn)項目；開展量子通信、量子成像、量子導(dǎo)航、量子雷達、量子計算芯片共性前沿技術(shù)攻關(guān)。

三、產(chǎn)業(yè)布局

（一）打造相對完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈聚集區(qū)。重點發(fā)展三維集成工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進存儲器等重點制造項目建設(shè)；重點發(fā)展中高端芯片設(shè)計、IP核設(shè)計、EDA軟件等產(chǎn)業(yè)，加快推進精簡指令集（RISC—V）產(chǎn)學研基地建設(shè)；培育裝備、材料、零部件、封測等產(chǎn)業(yè)，加快推進硅基SOI半導(dǎo)體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產(chǎn)業(yè)園等配套項目建設(shè)。

（二）構(gòu)建差異化半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)核心區(qū)。重點發(fā)展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產(chǎn)業(yè)，加快半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)鏈向上下游延伸發(fā)展，培育核心設(shè)備、關(guān)鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產(chǎn)業(yè)，推進華星t4、華星t5、天馬G6二期、京東方10.5代線擴產(chǎn)、創(chuàng)維MiniLED顯示產(chǎn)業(yè)園等項目建設(shè)。

（三）創(chuàng)建半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)區(qū)。重點發(fā)展光電芯片、第三代化合物半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)，推進紅外傳感芯片制造、微機電（MEMS）與傳感工業(yè)技術(shù)研究院等項目建設(shè)；培育車規(guī)級芯片、工控芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車基地建設(shè)；培育顯示芯片、信息安全芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新基地建設(shè)；培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產(chǎn)業(yè)，推進國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)建設(shè)。

四、保障措施

（一）強化政策落實。貫徹落實國家關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)“窗口指導(dǎo)”系列文件精神，各相關(guān)部門和單位對照全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展2022年重點工作任務(wù)安排表（附后）抓好工作落實。強化頂層設(shè)計，研究半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的戰(zhàn)略布局、規(guī)劃實施、政策制定等問題。加強對行業(yè)組織、專業(yè)服務(wù)機構(gòu)和平臺的指導(dǎo)工作。市經(jīng)信局及時制訂年度重點任務(wù)，定期梳理全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)謀劃、新建、已建項目進展情況。市直各相關(guān)部門指導(dǎo)各區(qū)組織專家評審，幫助企業(yè)報批國家“窗口指導(dǎo)”，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點項目建設(shè)。（責任單位：市發(fā)改委、市經(jīng)信局、市招商辦）

（二）搭建創(chuàng)新服務(wù)平臺。圍繞1個基礎(chǔ)邏輯工藝、4個特色工藝，建設(shè)12英寸集成電路中試平臺，聚焦硅基功率半導(dǎo)體，建設(shè)8英寸半導(dǎo)體中試平臺，為高校、科研院所、小微企業(yè)提供流片、封裝測試、國產(chǎn)設(shè)備及材料應(yīng)用驗證等服務(wù)，組織創(chuàng)建國家集成電路“芯火”雙創(chuàng)基地（平臺）。推進湖北實驗室建設(shè)，支持國家級創(chuàng)新中心、省級創(chuàng)新中心開展核心技術(shù)攻關(guān)。（責任單位：東湖高新區(qū)管委會，市發(fā)改委、市科技局、市經(jīng)信局）

（三）優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間保障。進一步優(yōu)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)空間布局，按照“創(chuàng)業(yè)苗圃+孵化器+加速器”的全產(chǎn)業(yè)鏈培育模式，在現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)布局的基礎(chǔ)上，打造提升一批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和配套園區(qū)。加強電子新材料園區(qū)建設(shè)，探索建立涉及化工工藝的電子新材料項目落戶機制，為電子新材料研發(fā)實驗、生產(chǎn)制造和物流倉儲釋放有效土地空間。（責任單位：市自然資源和規(guī)劃局、市經(jīng)信局、市生態(tài)環(huán)境局、市應(yīng)急局，各區(qū)人民政府〈含開發(fā)區(qū)管委會，下同〉）

（四）實施產(chǎn)業(yè)鏈精準招商。加強半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈精準招商的前瞻性戰(zhàn)略謀劃，制訂全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小分隊招商行動計劃，建立產(chǎn)業(yè)鏈精準招商合作對接機制。圍繞“鏈主”企業(yè)以及重大項目，開展強鏈、補鏈、延鏈、建鏈專項招商行動，重點在存儲芯片、光電芯片、顯示面板、第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，吸引產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)和上下游配套企業(yè)落戶武漢。（責任單位：市招商辦，各區(qū)人民政府）

（五）完善投融資環(huán)境。引導(dǎo)銀行機構(gòu)加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游小微企業(yè)的信貸支持力度，支持政府性融資擔保機構(gòu)為半導(dǎo)體小微企業(yè)提供貸款擔保，緩解貸款難問題。充分發(fā)揮武漢產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金的引導(dǎo)作用，對發(fā)展?jié)摿玫陌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)初創(chuàng)項目實施精準支持和培育。鼓勵“專精特新”企業(yè)掛牌北京證券交易所，推薦優(yōu)質(zhì)企業(yè)進入湖北“科創(chuàng)板種子”企業(yè)名單，針對上市后備企業(yè)加大服務(wù)支持力度。（責任單位：市地方金融局，市產(chǎn)業(yè)投資發(fā)展集團）

（六）健全產(chǎn)業(yè)人才體系。加強湖北實驗室與高校、企業(yè)的合作，面向化學、物理、材料以及微電子等基礎(chǔ)學科，吸引全球頂尖半導(dǎo)體人才。推進實施國家、省、市、區(qū)的高層次人才計劃，探索建立高層次人才柔性流動與共享機制，從薪資、購房、職業(yè)發(fā)展、家屬安置、教育醫(yī)療等各個方面提升人才政策的激勵力度和覆蓋范圍。支持在漢高校創(chuàng)建國家示范性微電子學院，推進集成電路一級學科建設(shè)。鼓勵我市半導(dǎo)體企業(yè)聯(lián)合高校、科研院所、職業(yè)院校打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才培訓(xùn)基地。（責任單位：市招才局，市科技局、市人社局，各區(qū)人民政府）

（七）加強知識產(chǎn)權(quán)保護。推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域高價值專利培育，促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專利成果運用轉(zhuǎn)化。依托中國（武漢）知識產(chǎn)權(quán)保護中心等公共服務(wù)平臺，完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專利快速審查、快速確權(quán)、快速維權(quán)等知識產(chǎn)權(quán)協(xié)同保護機制。積極開展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專利分析和導(dǎo)航，完善專利預(yù)警機制。支持企事業(yè)單位開展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)布局，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展提供全鏈條知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)。（責任單位：市市場監(jiān)管局）

武漢市人民政府辦公廳

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