6月21日消息（南山）在日前舉辦的中國(guó)光網(wǎng)絡(luò)大會(huì)上，中國(guó)信息通信研究院技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究所工程師謝俊杰女士發(fā)表演講時(shí)，談到了硅光子技術(shù)當(dāng)前的應(yīng)用和發(fā)展。
謝俊杰指出，硅光子除在通信電子領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景，在光伏能源、自動(dòng)控制、航空航天中均有重要作用。在通信領(lǐng)域，Intel、Luxtera等公司的短距離100G硅光模塊已經(jīng)大規(guī)模出貨，并占據(jù)相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)份額。但在長(zhǎng)距離（2km及以上）、良率較低的情況下，100G硅光模塊的成本優(yōu)勢(shì)不明顯。
當(dāng)前400G光模塊時(shí)代，硅光方案由于節(jié)省合分波等器件以及CMOS工藝帶來集成度的提升，較傳統(tǒng)方案的潛在優(yōu)勢(shì)明顯，但硅光仍面臨晶圓良率提升難度大的問題。對(duì)于500m以內(nèi)的短距離傳輸，硅光模塊有比較明顯的優(yōu)勢(shì)，對(duì)于傳輸距離超過500m的情形，傳統(tǒng)方案或?qū)⒗^續(xù)保持性能與成本優(yōu)勢(shì)?？傮w來看，400G時(shí)代，硅光和傳統(tǒng)方案或在更大范圍的應(yīng)用場(chǎng)景并存，但難言顛覆。
從具體的產(chǎn)品看，400G DR4也是400G時(shí)代硅光首個(gè)突破的產(chǎn)品。
硅光芯片需要在硅基集成III-V族化合物材料，兩種材料的兼容性相對(duì)差決定了硅光晶圓良率低，已經(jīng)成為制約硅光模塊良率提升的主要瓶頸。另外，由于硅光損耗較大，長(zhǎng)距離傳輸滿足標(biāo)準(zhǔn)損耗區(qū)間難度大，成為制約硅光模塊應(yīng)用范圍拓展的主要瓶頸。
市場(chǎng)研究公司yole的報(bào)告顯示，2021年硅光技術(shù)應(yīng)用新增了CPO場(chǎng)景，并且年復(fù)增長(zhǎng)率達(dá)到321%。謝俊杰表示，可能在通信領(lǐng)域，CPO才是硅光更大的戰(zhàn)場(chǎng)。而CPO和硅光強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，也必將開辟出光模塊的新紀(jì)元。
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