5月31日消息，SK海力士宣布，已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細化的第五代10納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel?）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認(rèn)證程序（The Intel Data CenterCertified memory program）”。此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強?可擴展平臺（ Intel? Xeon? Scalable platform）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認(rèn)證流程。
SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運行速度高達6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。
另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。
SK海力士強調(diào)：“通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品。”
SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾?第四代至強?可擴展處理器（4thGen Intel? Xeon? Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認(rèn)證，此次1bDDR5 DRAM產(chǎn)品驗證也會成功完成?！?/p>
金副社長又說到：“有預(yù)測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以1b工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的DRAM競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進的1b工藝擴大適用于LPDDR5T和HBM3E產(chǎn)品?！?/p>
另外，SK海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的1a DDR5DRAM適用于英特爾下一代至強?可擴展平臺的追加認(rèn)證流程也正在同步進行中。
<SK海力士DDR5 DRAM開發(fā)成果>
2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5 DRAM樣品
2023年1月，全球首獲1a DDR5服務(wù)器DRAM英特爾認(rèn)證
2023年4月，全球首次向英特爾提供1b DDR5服務(wù)器DRAM樣品
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